- A NVIDIA aprovou a memória HBM4 da Samsung para abastecer os aceleradores de IA da plataforma Vera Rubin, com certificação também para SK Hynix e Micron.
- As três fornecedoras foram certificadas de forma simultânea, encerrando meses de especulação sobre quem entregaria a memória HBM4.
- Estima-se que SK Hynix ficará com entre sessenta e setenta por cento da HBM4, Samsung com entre vinte e cinco e trinta por cento e Micron com o restante.
- A Samsung iniciou a produção em massa da HBM4 em fevereiro, com chips de 24 a 36 GB (12 camadas), velocidade por pino de 11,7 Gbps (até 13 Gbps) e largura de banda por pilha de até 3,3 TB/s; eficiência 40% superior à HBM3E.
- As entregas aos clientes devem ocorrer no terceiro trimestre; a Vera Rubin combina CPU Vera com clusters de GPU Rubin, prometendo desempenho até dez vezes superior em tarefas equivalentes.
A NVIDIA aprovou a memória HBM4 da Samsung para abastecer os aceleradores de IA da geração Vera Rubin. A confirmação foi feita pelo CEO Jensen Huang durante passagem por Seul, no dia 5 de junho, em evento não especificado. A notícia marca a primeira confirmação pública de que as três maiores fornecedoras de memória passaram na qualificação HBM4. Além da Samsung, também estão certificadas SK Hynix e Micron, todas já em produção.
Huang informou aos jornalistas no aeroporto de Gimpo que todas as três fabricantes foram qualificadas e que já estão em produção, com foco em atender a Vera Rubin. A declaração ocorreu em meio a agenda de reuniões com o ecossistema IA sul-coreano, incluindo grandes conglomerados como SK Group, Samsung, LG, Hyundai e Naver, com foco em cadeia de suprimentos e parcerias.
A divisão estimada de fornecimento não foi divulgada pela NVIDIA, mas analistas já apontam faixas. SK Hynix poderia responder por 60% a 70% do HBM4, Samsung ficaria entre 25% e 30%, e Micron balancearia o restante. A presença de três certificadas simultâneas altera o cenário anterior, em que a Samsung enfrentou atrasos com o HBM3.
A HBM4 da Samsung começou a produção em fevereiro e já comercializa unidades. O chip utiliza o processo DRAM de sexta geração em 10 nm, com uma base lógica de 4 nm. A empresa afirma ter adotado uma abordagem de projeto mais avançado desde o início, buscando rendimento estável sem redesenhos adicionais.
Especificamente, a memória oferece velocidade por pino de até 11,7 Gbps (com perspectiva de até 13 Gbps), largura de banda por pilha de até 3,3 TB/s, e capacidade entre 24 GB e 36 GB em 12 camadas. A eficiência energética é reportada como 40% superior à geração anterior HBM3E.
A notícia ganha peso após o tropeço da Samsung com o HBM3, quando não obteve rápido certificado da NVIDIA. A SK Hynix passou a dominar a demanda para a geração anterior, e agora a Samsung volta a competir em condições próximas, ampliando sua participação em contratos bilionários.
A Vera Rubin, que combina CPU Vera com clusters de GPU Rubin, entrou em produção plena após o keynote da NVIDIA na GTC Taipei em 1º de junho. As entregas aos clientes estão previstas para o terceiro trimestre, com promessas de desempenho até dez vezes superior em tarefas compatíveis com a plataforma Grace Blackwell.
A Samsung já sinaliza próximos passos: a empresa confirmou o envio de amostras da HBM4E, sucessora que promete 16 Gbps por pino e 4 TB/s por pilha, com amostragem prevista para o segundo semestre de 2026. O acordo também envolve colaboração em semicondutores de próxima geração, incluindo Groq 3.
Fontes próximas ao assunto indicam que a parceria entre NVIDIA e Samsung evolui para um relacionamento amplo, passando de fornecimento de memória para fabricação de componentes sob contrato. As informações são corroboradas por veículos de imprensa especializados e pela própria Samsung Global.
Fontes: Bloomberg e Samsung Global.
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