A TSMC apresentou nesta semana a tecnologia A13 para fabricação de semicondutores, prevista para produzir chips com litografia de 1,3 nm. O avanço é apresentado como evolução direta do A14, anunciado no ano passado, com foco em dispositivos móveis, HPC e IA. A área ocupada pelo A13 é 6% menor que a do A14, mantendo retrocompatibilidade e ganhando eficiência energética.
Segundo a empresa, a demanda por novas tecnologias de silício permanece alta, com aplicações diversas. O A13 deve entrar em produção em 2029, cerca de um ano após a estreia do A14 para clientes da TSMC. O anúncio reforça a estratégia da companhia de separar tecnologias para mobile/HPC/IA no curto e médio prazos.
C.C. Wei, presidente e CEO da TSMC, destacou que clientes buscam inovação contínua e uma fonte confiável de silício, com o A13 pronto para produção when necessário. A companhia confirmou ainda o uso do Gate-All-Around de segunda geração nesse novo processo.
Perspectivas para IA e próximos nós
A TSMC já aponta o A12 para 2029, mirando litografia de 1,2 nm, com objetivo de atender IA e aplicações industriais. Paralelamente, o A16, de 1,6 nm, é apontado como próxima evolução para IA generativa, com planos de uso ainda não detalhados amplamente.
O roadmap da empresa indica, portanto, uma divisão estratégica entre tecnologias para dispositivos móveis e para HPC/IA, mantendo o foco na evolução contínua de processos de fabricação para diferentes mercados. As informações são baseadas em comunicados oficiais da TSMC e análises de especialistas. Fonte: Nikkei, TechPowerUp, Tom’s Hardware.
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