Samsung lança HBM5 com Heat Path Block para reduzir calor em IA

Samsung revelou o primeiro modelo físico da memória HBM5 com a tecnologia Heat Path Block (HPB) para reduzir o calor na interface entre memória e GPU, apresentada durante a Computex 2026 em Taipei.
A empresa confirmou que o die base da HBM5 será fabricado no nó de 2 nm,演 reduzindo em relação aos 4 nm usados na HBM4 e HBM4E.
A HPB cria pilares térmicos que conduzem o calor da pilha de memória para o espalhador acima ou ao lado do pacote, em vez de depender apenas dos dies centrais.
A SK hynix apresentou o design iHBM com elementos de resfriamento no ponto crítico da camada PHY D2D, alegando redução de resistência térmica em mais de 30% frente aos produtos atuais.
A Samsung e a SK hynix preveem lançar essas soluções com a geração HBM5, com a Samsung destacando a integração de memória e fundição em 2 nm e a participação de parceiros como a NVIDIA.

Samsung apresentou na Computex 2026, em Taipei, o primeiro modelo físico de HBM5, com a tecnologia Heat Path Block (HPB) para reduzir o calor na interface D2D entre memória e processador. A iniciativa atende à demanda por maior densidade de potência em chips de IA, buscando manter desempenho estável.

A empresa mostrou que o HPB cria pilares térmicos que conduzem o calor para um espalhador acima ou ao lado do pacote, diferente da evacuação direta pelo die central. O foco é controlar a temperatura na camada física D2D, crucial para a eficiência de IA.

A Samsung já havia validado o HPB na geração anterior HBM4E. Amostras de 12 camadas dessa geração operavam a 14 Gbps, com escalabilidade prevista para 16 Gbps e largura de banda de 3,6 TB/s por pilha.

Enquanto isso, a SK hynix adotou rota distinta ao integrar resfriamento direto no ponto crítico. O design iHBM utiliza silício eletricamente não condutor e termicamente condutor na camada PHY D2D, reduzindo a resistência térmica em mais de 30%.

Ambas as abordagens devem estrear junto com a HBM5, cada uma buscando assegurar funcionamento estável em altas velocidades. A SK hynix posiciona o resfriamento no hotspot, enquanto a Samsung cria vias para o calor seguir para o espalhador externo.

A Samsung controla toda a cadeia, fabricando o die base da HBM5 em seu nó interno de 2 nm. A estratégia permite empregar a pilha HBM5 e o die de 2 nm sob o mesmo teto, sem dependência externa.

O presidente e CTO da Divisão de Soluções de Dispositivos da Samsung, Song Jai-hyuk, afirmou que IA mais poderosa exige gestão térmica eficaz, eficiência de processamento e empacotamento estável. A empresa mantém planos de ampliar a cooperação com parceiros, incluindo a NVIDIA.