- Governo da Coreia do Sul planeja investir até 500 bilhões de won (cerca de US$ 329 milhões) em semicondutores de potência para data centers de IA, dentro do Ultra-Innovation Economy Project.
- O montante pode chegar a 750 bilhões de won (aproximadamente US$ 494 milhões), com foco em pesquisa, desenvolvimento e demonstração de sistema completo.
- A intenção é reduzir a dependência externa em potência e reforçar a capacidade nacional, complementando a liderança já exercida pela memória DRAM.
- SiC (carboneto de silício) e GaN (nitreto de gálio) oferecem melhor tolerância a altas temperaturas, tensões e frequências, o que é crucial para IA em servidores e infraestrutura associada.
- O plano prevê encadear materiais, dispositivos e módulos em um ciclo único, acelerando a passagem da pesquisa à produção em larga escala.
O governo da Coreia do Sul anunciou um investimento inicial de 500 bilhões de won (aproximadamente US$ 329 milhões) para desenvolver semicondutores de energia destinados a Data Centers de IA. O aporte faz parte do Ultra-Innovation Economy Project, voltado a pesquisa e desenvolvimento de componentes de potência para servidores que sustentam inteligência artificial.
A soma pode chegar a 750 bilhões de won (cerca de US$ 494 milhões) conforme apurado pelo Sedaily, que mencionou uma reunião do vice-primeiro-ministro e ministro da Economia e Finanças, Koo Yun-cheol, para fechar o roteiro de comercialização. A expectativa é ampliar receitas do país, além das quatro linhas de negócio já consolidadas.
A ideia central é reduzir a dependência externa em semicondutores de potência, hoje dominados por fornecedores estrangeiros. O governo quer transformar a Coreia do Sul em referência não apenas na memória DRAM, mas também na potência necessária para IA, com participação das empresas nacionais desde a pesquisa até a demonstração de sistema.
Por que Data Centers de IA precisam desses chips
Os chips de potência, feitos com SiC (carboneto de silício) e GaN (nitreto de gálio), operam com alta temperatura, tensões elevadas e frequências elevadas. Eles ajudam a estabilizar redes elétricas com maior eficiência, especialmente em cenários de fontes renováveis. Isso reduz perdas energéticas em operações de IA.
O setor de energia e transmissão já utiliza SiC e GaN por sua robustez em condições exigentes. Em termos de mercado, a Coreia já observa liderança global em memória, enquanto o segmento de potência depende de desenvolvimento interno para competirem de igual a igual com rivais internacionais.
Cenário atual de competição
Atualmente, a STMicroelectronics lidera em SiC, seguida por Infineon e Wolfspeed. No GaN, Innoscience, Navitas e Power Integrations ocupam posições de destaque. A China também avança com BYD Semiconductor e San’an, apoiadas por políticas de estímulo estatal, aumentando a pressão sobre a Coreia.
A demanda por IA tem impactado balanços de diversas empresas. A Wolfspeed lançou MOSFET de SiC de 10 kV voltado à melhoria de redes e infraestrutura de IA, apontando para crescimento de receita nesses segmentos, ainda que parta de base recente.
Planos para encadear pesquisa e produção
O programa visa reunir materiais, dispositivos, módulos e demonstração de sistema em um único ciclo de desenvolvimento. A meta é reduzir o tempo entre pesquisa e fabricação em massa, aproximando indústria de tecnologia ao estágio de produção.
A expectativa é que o investimento interno amplie a capacidade de fabricação e reduza vulnerabilidades estratégicas. Se bem-sucedido, pode criar uma linha de produção integrada que combine pesquisa, desenvolvimento e entrega de componentes para IA e aplicações associadas.
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