A Huawei e a Xiaomi estariam desenvolvendo um novo tipo de memória RAM para smartphones, chamado Low Latency Wide DRAM (LLW), segundo o informante Fixed Focus Digital. O anúncio aponta o interesse de companhias chinesas no tema.
A proposta LLW busca reduzir a latência entre a memória e a CPU, permitindo que modelos de IA rodem no dispositivo. A ideia é adaptar conceitos de memórias de alto desempenho para o ambiente móvel, mantendo o design compacto.
O objetivo é ampliar os canais de comunicação entre memória e processador, mantendo integração direta e menor aquecimento. A arquitetura tenta manter o conceito de alto desempenho sem empilhamento 3D típico das HBM.
Funcionamento e Desafios
A LLW não utiliza uma única linha de comunicação. Em vez disso, emprega múltiplas vias menores para distribuir dados, elevando a velocidade de transmissão ao processador. A abordagem se inspira na HBM, porém adaptada para celulares.
Desafios incluem espaço reduzido dentro dos smartphones e a necessidade de soluções de refrigeração simples. A tecnologia evita o empilhamento vertical de chips, adotando um caminho de dados mais próximo do processador.
Perspectivas e Impacto
Segundo o informante, a LLW pode reduzir o consumo de energia em até 50% e oferecer desempenho cerca de 1,5 vez maior do que o LPDDR5X. O lançamento ainda está previsto para a segunda metade de 2027, sujeito a avanços técnicos.
No setor de memória, a indústria de DRAM faturou mais de R$ 500 bilhões no primeiro trimestre deste ano, conforme estimativas de fontes do ramo. A evolução tecnológica segue como tema relevante para o mercado global de semicondutores.
Fonte: informações registradas por veículos especializados, sem divulgação de contatos ou links.
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