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SK Hynix inicia produção de memórias SOCAMM2 192 GB para NVIDIA Vera Rubin

SK hynix inicia produção em massa de memória SOCAMM2 de 192 GB para Vera Rubin, acirrando a disputa com Micron e Samsung no segmento de IA

Créditos: SK Hynix (editada)
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  • A SK hynix iniciou a produção em massa do módulo de memória SOCAMM2 de 192 GB para a plataforma Vera Rubin da NVIDIA, em processo LPDDR5X de 1 núcleo.
  • A memória afirma oferecer mais do que o dobro da largura de banda e até 75% de eficiência energética a mais frente a RDIMM, segundo a fabricante.
  • A Micron já havia anunciado amostras de SOCAMM2 de 256 GB em LPDDR5X de 1 gama, enquanto a Samsung já fornece amostras do SOCAMM2 desde dezembro.
  • A novidade posiciona a SK hynix como concorrente direta de Micron e Samsung no segmento de memórias para data centers de IA.
  • A produção em massa ocorre em meio a expectativa de demanda por novas soluções de IA em centros de dados, com a ressalva de que a escassez de memórias pode persistir.

A SK hynix anunciou a produção em massa do módulo de memória SOCAMM2 de 192 GB, voltado a servidores com formato LPDDR5X. O componente está ligado à plataforma Vera Rubin da NVIDIA, voltando-se a sistemas de IA de próxima geração. O produto é desenvolvido sobre o processo LPDDR5X de 1 núcleo.

A fabricante destaca que o SOCAMM2 de 192 GB entrega mais que o dobro da largura de banda em relação a memórias RDIMM convencionais e oferece até 75% de ganhos em eficiência energética. O design utiliza um conector destacável do tipo compressão para manter o consumo na classe LPDDR, com manutenção facilitada em servidores de IA.

A corrida por memórias SOCAMM2 envolve também Micron e Samsung. A Micron informou, em março, o início de envios de amostras de SOCAMM2 de 256 GB construídos em LPDDR5X de 1 gama. A Samsung já havia declarado, em dezembro, que fornecia amostras de SOCAMM2 para clientes com promessas de eficiência de mais de 70% e maior largura de banda.

Competição e movimentação de mercado

Samsung segue na dianteira com amostras já enviadas, segundo comunicado da fabricante. A empresa aponta ganhos de capacidade e desempenho superiores em relação a soluções DDR. A Micron, por sua vez, lidera em capacidade anunciada com 256 GB por módulo, ainda em fase de amostras.

No cenário de produção, a SK hynix entra em concorrência direta com Micron e Samsung no segmento de memória para IA em data centers. A empresa afirma que a produção em massa de 192 GB para Vera Rubin acontece em abril de 2026, com impacto potencial na oferta do mercado.

Conforme o setor avança, a escassez de memórias ainda deve permanecer antes de qualquer melhoria, segundo análises do mercado de hardware para IA. A análise compara capacidades, eficiência e estágios de implementação entre os principais fabricantes.

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