SK hynix lança memória HBM4E de 48 GB por pilha com até 4 TB/s

Na Computex 2026, a SK hynix apresentou a memória HBM4E, com densidade de 32 Gb por núcleo e capacidade de 48 GB utilizando pilha de 12-HI.
A memória atinge até 16 Gbps por pino, 37% mais rápida que a HBM4, resultando em largura de banda de até 4 TB/s.
A empresa já está fornecendo amostras da HBM4E, com uso inicial previsto nas GPUs Rubin Ultra da NVIDIA, que devem chegar em 2027.
A HBM4E é apresentada como solução para ampliar desempenho de IA em data centers, com possibilidade de empregar múltiplas GPUs e chiplets HBM4E em um único pacote.
Em comparação com a HBM4, a HBM4E oferece maior densidade e banda, acompanhando a demanda por maior capacidade e desempenho, sem garantias sobre impacto no preço para consumidores.

A SK hynix mostrou na Computex 2026 a memória HBM4E, com 48 GB por pilha e desempenho de até 4 TB/s. O anúncio traz densidade de 32 Gb por die, 33% acima do HBM4, permitindo chegar a 48 GB com pilhas de 12 núcleos Hi, em vez de 16 Hi.

A memória atinge velocidades de até 16 Gbps por pino, superando o HBM4 em 37% e elevando a largura de banda total para 4 TB/s. A fabricante já apresenta amostras e aponta que o uso inicial será nas GPUs Rubin Ultra da NVIDIA, programadas para o próximo ano.

A Rubin Ultra terá um design mais denso, integrando várias GPUs e chiplets HBM4E em um único pacote, o que deverá impulsionar o desempenho em IA. A tecnologia também é citada como base para futuras integrações em data centers.

A empresa destaca que, apesar dos ganhos em banda e densidade, a demanda por maior capacidade persiste. A memória HBM4E figura como resposta a esse cenário, sem indicar impactos diretos nos preços para consumidores.

Outras linhas de desenvolvimento incluem NAND empilhada com design semelhante à HBM, visando desempenho próximo ao da memória de GPU com capacidades de SSD. Paralelamente, a SK hynix apresentou o módulo LPCAMM2 de 96 GB, baseado no processo 1cnm e LPDDR5X, voltado a PCs com IA ainda neste ano.

Dados técnicos da comparação entre as tecnologias HBM4E, HBM4 e HBM3E apontam 48 GB por pilha de 12-HI, largura de banda de 4 TB/s e maior eficiência em relação aos modelos anteriores. As especificações destacam ganhos de densidade e velocidades por pino, sem detalhar preços para o consumidor.

A publicação da fabricante também menciona avanços em soluções NAND V9, com opções QLC e TLC, oferecendo até 2 TB em formato cSSD, voltadas a designs compactos e maior eficiência energética. Fonte principal: Wccftech.