- Samsung apresenta plano para NAND de 1.000 camadas, com o objetivo de quadruplicar a capacidade dos SSDs em relação aos modelos atuais.
- A solução usa Cell Multi-Bonding (CMB), que une duas pilhas de 450 camadas em um único chip de 900 camadas, permitindo somar camadas sem monólito extremo.
- O método envolve fusão de wafers inteiros, estruturas de bit-line e word-line redesenhadas para reduzir consumo de energia e manter o tamanho do chip.
- Desafios previstos incluem empenamento do wafer e desalinhamento entre as duas metades; são usados Upper Chuck Design e Overlay Correction para mitigar esses problemas.
- O protótipo de laboratório sugere possibilidade de SSD de 32 TB (a partir de um 8 TB em QLC), mas a produção em larga escala só deve ocorrer mais tarde, com metas entre 2029 e início de 2030, e ampliação até 900–1.000 camadas via CMB.
A Samsung revelou, no VLSI Symposium 2026, planos de chegar a NAND de 1.000 camadas, mirando SSDs com quadruplicada capacidade em relação aos modelos atuais. A empresa apresenta o caminho para densidade superior, ainda em fase de protótipo de laboratório.
A proposta envolve combinar duas pilhas de 450 camadas em um único chip, resultando em um módulo de 900 camadas. A tecnologia chamada Cell Multi-Bonding (CMB) une dois wafers inteiros pela parte de trás, com contatos metálicos que mantêm a fusão estável.
Por ora, o desenvolvimento é experimental, sem produção em massa anunciada. A Samsung descreve o protótipo como evolução de laboratório, sem datas de fabricação comercial.
Como funciona o CMB
A técnica de CMB é uma variação do hybrid bonding. Em vez de empilhar apenas dies, o método funde dois wafers inteiros. Contatos embutidos conectam os dois lados, criando uma peça única de maior contagem de camadas.
Além da fusão de wafers, foram introduzidas estruturas modificadas de bit-line e word-line. O objetivo é reduzir consumo de energia e manter o tamanho do chip dentro de limites viáveis.
Pela primeira vez, a Samsung afirma ter implementado, em V-NAND de 900 camadas, a integração unindo dois wafers de 450 camadas.
Desafios técnicos
O empilhamento de tantas camadas gera empenamento do wafer, aumentando com a altura e dificultando a fusão das pilhas. Para contornar, surge o Upper Chuck Design, um suporte que estabiliza o wafer durante o processo.
Para resolver desalinhamentos entre as metades, a Samsung utiliza Overlay Correction, que reposiciona camadas com precisão no momento da junção dos wafers.
A equipe aponta que a solução ainda depende de ajustes de custo e rendimento antes de qualquer fabricação em escala industrial.
Capacidade, cronograma e mercado
Especialista consultado pela imprensa estimou que um SSD QLC de 8 TB poderia chegar a 32 TB com esse método, mantendo o formato. O roadmap apresentado segue etapas graduais até 2030, com projeções até 900–1.000+ camadas via CMB.
| Período | Meta de camadas |
| ——— | ————— |
| 2026 | 400+ (10ª geração) |
| 2029 | ~420 |
| 2030 | >560 |
| A partir de 2030 | 900–1.000+ (via CMB) |
Observa-se que o chip de 900 camadas é um protótipo, sem produção prevista. Em curto prazo, a disputa de densidade envolve 400 camadas, já em produção na SK Hynix, enquanto a Samsung busca acelerar para produção ainda neste ano.
Contexto de mercado
A SK Hynix lidera em camadas produtivas, com 321 camadas em produção. A Samsung trabalha com mais de 400 camadas na sua 10ª geração, com produção em massa prevista ainda neste ano. A YMTC oferece chips de 294 e 232 camadas e investe para aumentar a produção, intensificando a competição global.
A expectativa da indústria é de que os SSDs de dezenas de terabytes dependam da viabilização do protótipo até 2030. Enquanto isso, a corrida por maior densidade continua, com diferentes abordagens entre as empresas.
Fonte(s): VLSI Symposium 2026 e WCCFTech
Entre na conversa da comunidade