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Intel apresenta melhorias do 18A-P, com transistores de contato duplo

Intel inicia produção de risco do 18A-P, com transistores de contato duplo e Power Boost, oferecendo ganho de 9% de performance ou redução de consumo

Créditos: Intel
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A Intel revelou detalhes do processo 18A-P, evolução do 18A usado nas CPUs Panther Lake, com foco em eficiência e desempenho. A grande novidade é o Power Boost, primeiro recurso a usar transistores de contato duplo no 18A-P. A tecnologia promete ganho sem aumentar a área do chip.

O Power Boost surge a partir de melhorias no PowerVia, a entrega de energia pela face de trás do wafer. Com isso, o estresse nos interconectores da frente diminui, facilitando distribuição de energia e potencial para frequências maiores.

Em termos práticos, a Intel aponta ganho de 9% de performance em CPUs feitas no 18A-P frente ao 18A, mantendo a mesma tensão. Alternativamente, é possível atingir a mesma performance com redução de até 18% no consumo de energia.

Power Boost e produção de risco

A empresa informou já ter iniciado a produção de risco do 18A-P, com unidades em baixo volume para testar viabilidade prática e ajustes industriais. Esse estágio permite validar o processo antes da produção em escala.

A geração Diamond Rapids de Xeon deverá ser fabricada no 18A-P, com lançamento previsto para o próximo ano. A Intel indica que o 18A-P pode entrar em operação comercial em breve, ampliando o portfólio de CPUs e opções de baixo consumo.

A expectativa é que o conjunto 18A-P fortaleça a posição da Intel tanto como fornecedora de CPUs quanto como foundry, ampliando a oferta de componentes de alto desempenho e eficiência energética. O anúncio reforça o foco em inovação de fabricação.

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