Samsung revela memórias UFS 5.0 com dobrada de velocidade para celulares, visando reduzir latências em IA. A fabricante sul-coreana apresentou o novo protocolo de armazenamento móvel nesta terça (23) e aponta avanços para serviços de IA integrados.
O UFS 5.0 atinge até 10,8 GB/s de largura de banda, o dobro do UFS 4.1. Em leitura sequencial entrega até 10,8 GB/s e escrita de até 9,5 GB/s, conforme divulgação oficial. O conjunto representa ganhos expressivos frente ao padrão de 2022.
A novidade também promete economia de energia, com redução de cerca de 40%. Técnicas como múltiplas voltagens e clock gating contribuem para menor consumo durante operações de IA e transferência de dados.
Tecnologia, tamanho e aplicação
O pacote do UFS 5.0 ficou 16% mais compacto, medindo 7,5 mm x 13 mm x 0,9 mm. A fabricante destaca uso em dispositivos de IA embarcada, incluindo relógos, dispositivos de realidade estendida e, principalmente, celulares topo de linha.
A Samsung iniciará a produção em massa no quarto trimestre deste ano, com capacidades de até 1 TB. A expectativa é que modelos da linha Galaxy S27 recebam a tecnologia, lançados entre janeiro e julho do próximo ano.
Cenário e adoção
Especialistas apontam que a indústria de memória NAND já faturou bilhões no primeiro trimestre, impulsionando inovações como o UFS 5.0. O foco da imprensa e do mercado permanece no avanço para rodar grandes modelos de linguagem diretamente nos dispositivos móveis.
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